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41.
以ZnO纳米柱阵列为模板, 采用溶胶-凝胶法制备出TiO2/ZnO和N掺杂TiO2/ZnO的复合纳米管阵列. 扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-Vis)的结果表明: 两种阵列的纳米管均为六角形结构, 直径约为100 nm, 壁厚约为20 nm; 在N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列中, 掺入的N离子主要是以N-Ox、N-C和N-N的形式化学吸附在纳米管表面, 仅有少量的N离子以取代式掺杂的方式占据TiO2晶格O的位置; 表面N物种形成的表面态能级和取代式掺杂导致带隙的窄化, 增强了纳米管阵列的光吸收效率, 促进了光生载流子的分离. 光催化实验结果表明, N离子的掺杂有利于N-TiO2/ZnO复合纳米管阵列光催化活性的提高.  相似文献   
42.
直接甲醇燃料电池(DMFC)是理想的移动电源,但因金属Pt阴极催化剂的选择性较差,甲醇在阴极产生“混合电位”,导致电池效率降低。抗甲醇氧电还原催化剂可降低“混合电位”,是解决该问题的有效的方法。  相似文献   
43.
Gallium oxynitride, isostructural to hexagonal gallium nitride (h-GaN), was obtained by ammonia nitridation of a precursor prepared from the addition of citric acid to an aqueous solution of gallium nitrate. Gallium oxynitride produced at 750 °C had a small amount of gallium vacancies, and was formulated as (Ga0.890.11) (N0.66O0.34) where the symbol □ stands for gallium vacancy. Both the gallium vacancies and oxygen substituted for nitrogen were randomly distributed within the structure. The amount of vacancies decreased with nitridation temperatures in the range of 750-850 °C. Approximately, 10 at% Li+ was doped into the gallium oxynitride, using a similar preparation with the additional presence of lithium nitrate, resulted in the random substitution of Ga3+ in an atomic ratio of Li/Ga<1 at 750 °C. Oxygen was codoped with lithium and substituted nitrogen in the wurtzite-type crystal lattice. These substitutions reduced the electrical conductivity in the gallium oxynitride semiconductor. A new oxynitride, Li2Ga3NO4, was also obtained with Li2CN2 impurity using similar preparations from a mixture of Li/Ga?1. The crystal structure was isostructural with h-GaN, and was refined as P63mc with a=0.31674(1) nm, and c=0.50854(2) nm. The Ga and Li occupancies at the 2b site were refined to be 0.6085 and 0.3915, respectively, assuming that the other 2b site was randomly occupied with 1/5O and 4/5N. When the new compound was washed for over 1 min for the removal of Li2CN2 impurities, it was decomposed to a mixture of α-GaOOH and α-LiGaO2. The as-prepared product with Li/Ga=1 showed the highest intensity in yellow luminescence among the products under excitation at 254 nm.  相似文献   
44.
The stability of spontaneous thin layers and thin layers formed upon cathodical polarization of Ti in KOH solutions have been studied by potentiostatic and ellipsometric methods. At open circuit potential (OCP) the strongly adherent films, whose thickness depends on the concentration of the KOH solution, were formed. During the cathodic polarization the transformation of these films to weakly adsorbed precipitated layers on the electrode surface was observed. Comparing the theoretically computed curves with the experimental Ψ vs Δ loci measured ellipsometrically, the complex indices of refraction and the thickness of the generated films, from 3.6 to 60 nm in 1 M KOH and from 36 to 105 nm in 5 M KOH (adherent to the electrode surface), were determined. At OCP the rate of film growth increases with increasing the concentration of KOH solution. Cathodic polarizations change the chemical composition and retard the rate of film growth. Based on the ellipsometric and electrochemical data the chemical compositions of the formed films consisted of TiO2, Ti2O3, TiO2·H2O, Ti(OH)3 and TiOOH·nH2O.  相似文献   
45.
Ti2(OMe)4/SiO2催化剂的制备及其合成碳酸二甲酯的反应性能   总被引:4,自引:2,他引:4  
采用表面改性和离子交换法制备了SiO2负载的Ti2(OMe)4双核桥联配合物催化剂,用IR、TPD和微反技术考察了催化剂的表面构造及CO2和CH3OH在催化剂表面上的化学吸附和反应性能。结果表明:双核桥联配合物Ti2(OMe)4以Ti-O-Si键锚定在SiO2表面上;CO2在催化剂表面存在桥式和甲氧碳酸酯基两种吸附态,其中甲氧碳酸酯基吸附态是生成DMC的关键物种;CH3OH在催化剂上只有一种分子吸附态。在150℃以下,CO2和CH3OH在Ti2(OMe)4/SiO2催化剂表面上高选择地生成碳酸二甲酯。  相似文献   
46.
稀土在低硫铌钛钢中的作用   总被引:3,自引:3,他引:3  
在实验条件下采用50kg真空感应炉炼和两段控制轧制工艺,并采用WE-60型万能拉伸试验机,JB-30B型冲击试验机,MM6型及OLYMPUS-PME3型光学金相显微镜,IBAS-2000图相分析等手段研究了稀土对低硫铌钛钢性能,组织及夹杂物的影响。在低硫铌钛钢中的试验结果表明,稀土元素的加入使力学性能变化各异,它使钢的横向屈服点和抗拉强度先下降而后上升;延伸率则无下降而后上升;稀土对钢的横向冲击功则表现为先上升而后下降,并且在-20℃以上,适量的稀土加入可以明显改善其冲击功的各向异性;稀土的加入并不能改变钢的显微组织类型,钢的组织为铁素体+珠光体,但稀土会使钢中珠光体数量增加,铁素体数量减少,在钢中夹杂物方面,稀土加入则表现为它一方面 化钢液,使钢中夹杂物数量减少,另一方面是使钢中夹杂物的颗粒球化,细化和弥散化,从而改善夹杂物的分布。  相似文献   
47.
用量子化学密度泛函(DFT)方法研究了激发态Ti(3d14s2)与丙炔醇(PPA)气相反应的机理. 在B3LYP/DZVP水平上, 优化了反应的两个通道的反应物、中间体、过渡态和产物的几何构型, 并在MP4/[6-311+G**(C,H,O)+Lanl2dz (Ti)]水平上计算了各驻点的单点能量. 为了确证过渡态的真实性, 在B3LYP/DZVP水平上进行了内禀坐标(IRC)计算和频率分析, 获得了二重态反应势能面, 确定了反应机理. 研究结果表明生成产物为[C3H3O]和Ti—H的通道是主要反应途径.  相似文献   
48.
稀土掺杂对锂离子电池正极材料LiMn2O4结构及电性能的影响   总被引:19,自引:5,他引:19  
利用微波加热技术合成稀土掺杂基锂离子电池正极材料LiMn2-xRExO4(RE=Y,Nd,Gd,Ce),通过XRD、循环伏安及恒电漉充放电测试研究了稀土掺杂离子对合成正极材料结构及电化学性能的影响。XRD测试结果表明,合适的掺杂量可以起到扩展锂离子脱嵌通道和稳定骨架结构的作用,稀土离子的引入可以部分取代原有的三价锰离子,由于稀土离子的离子半径较三价锰离子大,因此稀土掺杂锰酸锂材料的晶胞参数比未掺杂材料大,在一定程度上扩充了锂离子迁移的三维通道,更有利于锂离子的嵌入与脱嵌;循环伏安及恒电漉充放电测试结果表明稀土掺杂有效提高了LiMn2O4材料的电化学循环可逆性及循环稳定性。  相似文献   
49.
The structure and anodic performance of boron-doped and undoped mesocarbon microbeads (MCMBs) have been comparatively studied and the results obtained by XPS, XRD, SEM, Raman spectroscopy and electrochemical measurements are discussed. It is found that boron doping introduces a depressed d 002 spacing and the larger amount of "unorganized carbon", which induces vacancy formation in the graphite planes and leads to a quite different morphology from that of the undoped material. Electrochemical charge/discharge cycle tests indicated that after boron doping the lithium intercalation was carried through at a somewhat higher potential, being attended by greater irreversible capacity loss. Electronic Publication  相似文献   
50.
金属离子掺杂对TiO2光催化性能的影响   总被引:14,自引:1,他引:14  
TiO2光催化反应过程涉及光生电荷、电荷迁移、电荷在TiO2表面的反应和溶液体相反应4个顺序相接并相互影响的步骤.在TiO2中掺杂金属离子对以上4个步骤均有重要影响,合理的掺杂可有效地提高其光催化性能.本文综合了国内外此方面的最新研究成果,从提高TiO2光催化性能和优化光催化反应的角度出发,在材料吸光能力、电荷扩散、表面反应、粒径和晶型等方面,全面地分析总结了金属离子掺杂的影响效果和规律性认识,并对TiO2基光催化材料的金属离子掺杂改性研究的未来发展方向提出了建议.文中还简要介绍了相关的掺杂方法和材料表征手段.  相似文献   
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